Taiwan Semiconductor TSM4N80CI C0G MOSFET

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Тип канала

N

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Конфигурация транзистора

Одинарный

Прямое напряжение диода

1.5V

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

4.6мм

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное рассеяние мощности

38,7 Вт

Тип корпуса

ITO-220

Длина

10мм

Высота

15мм

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Brand