STMicroelectronics STW9NK90Z MOSFET

Код товара RS: 485-8623Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STW9NK90Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 826,95

тг 826,95 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW9NK90Z MOSFET
Select packaging type

тг 826,95

тг 826,95 Each (ex VAT)

STMicroelectronics STW9NK90Z MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 826,95
25 - 99тг 648,15
100 - 249тг 563,22
250 - 499тг 505,11
500+тг 464,88
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Ширина

5.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.75мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать