STMicroelectronics STP4N150 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 351,22
тг 2 351,22 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 351,22
тг 2 351,22 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 2 351,22 |
| 10 - 49 | тг 1 931,04 |
| 50 - 99 | тг 1 890,81 |
| 100 - 249 | тг 1 676,25 |
| 250+ | тг 1 551,09 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
1500 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
MDmesh
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Ширина
4.6мм
Высота
15.75мм
Информация о товаре