STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP240N10F7

Код товара RS: 860-7567Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP240N10F7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 3 692,22

тг 1 846,11 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP240N10F7
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 692,22
4тг 7 384,44
6тг 11 076,66
8тг 14 768,88
10тг 18 461,10
12тг 22 153,32
14тг 25 845,54
16тг 29 537,76
18тг 33 229,98
20тг 35 760,00
22тг 39 336,00
24тг 42 912,00
26тг 46 488,00
28тг 50 064,00
30тг 53 640,00

тг 3 692,22

тг 1 846,11 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP240N10F7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 692,22
4тг 7 384,44
6тг 11 076,66
8тг 14 768,88
10тг 18 461,10
12тг 22 153,32
14тг 25 845,54
16тг 29 537,76
18тг 33 229,98
20тг 35 760,00
22тг 39 336,00
24тг 42 912,00
26тг 46 488,00
28тг 50 064,00
30тг 53 640,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 1 846,11тг 3 692,22
20 - 48тг 1 788,00тг 3 576,00
50 - 98тг 1 528,74тг 3 057,48
100 - 248тг 1 479,57тг 2 959,14
250+тг 1 434,87тг 2 869,74

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

DeepGate, STripFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

15.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics