STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 7.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STP10N60M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
85 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 749,05
тг 549,81 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 749,05
тг 549,81 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 549,81 | тг 2 749,05 |
| 50 - 245 | тг 424,65 | тг 2 123,25 |
| 250 - 495 | тг 335,25 | тг 1 676,25 |
| 500 - 995 | тг 277,14 | тг 1 385,70 |
| 1000+ | тг 254,79 | тг 1 273,95 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
85 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics