STMicroelectronics STGB20H60DF IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 860-7549Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STGB20H60DF
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

40 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать

тг 3 540,24

тг 1 770,12 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB20H60DF IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 540,24
4тг 7 080,48
6тг 10 620,72
8тг 14 160,96
10тг 17 701,20
12тг 21 241,44
14тг 24 781,68
16тг 28 321,92
18тг 31 862,16
20тг 34 419,00
22тг 37 860,90
24тг 41 302,80
26тг 44 744,70
28тг 48 186,60
30тг 51 628,50

тг 3 540,24

тг 1 770,12 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

STMicroelectronics STGB20H60DF IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 540,24
4тг 7 080,48
6тг 10 620,72
8тг 14 160,96
10тг 17 701,20
12тг 21 241,44
14тг 24 781,68
16тг 28 321,92
18тг 31 862,16
20тг 34 419,00
22тг 37 860,90
24тг 41 302,80
26тг 44 744,70
28тг 48 186,60
30тг 51 628,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 1 770,12тг 3 540,24
20 - 48тг 1 720,95тг 3 441,90
50 - 98тг 1 466,16тг 2 932,32
100 - 248тг 1 421,46тг 2 842,92
250+тг 1 381,23тг 2 762,46
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

40 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать