STMicroelectronics STD26P3LLH6 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.2мм
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
STripFET
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
45 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.2мм
Длина
6.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.