STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V, 3-Pin D2PAK STB45N65M5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
82 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 842,92
тг 2 842,92 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 842,92
тг 2 842,92 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 49 | тг 2 842,92 |
| 50 - 249 | тг 2 333,34 |
| 250 - 499 | тг 1 935,51 |
| 500 - 999 | тг 1 765,65 |
| 1000+ | тг 1 533,21 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное напряжение сток-исток
710 В
Серия
MDmesh M5
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
210 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
9.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
82 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.