STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4

Код товара RS: 213-3943Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: SCTWA90N65G2V-4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

119 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCTWA90N65G2V-4

Тип корпуса

HiP247-4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

0.024 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

119 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

SCTWA90N65G2V-4

Тип корпуса

HiP247-4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

0.024 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC