Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-323
Серия
RU1C001UN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
18 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.3V
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.35мм
Длина
2.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1мм
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-323
Серия
RU1C001UN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
18 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.3V
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.35мм
Длина
2.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1мм
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре