onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG

Код товара RS: 185-9246Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NVMYS1D3N04CTWG
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

252 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1,15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

134 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.25мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

75 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.2мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Philippines

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 4.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 4.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 4
1P.O.A.
5P.O.A.
9P.O.A.
13P.O.A.
17P.O.A.
21P.O.A.
25P.O.A.
29P.O.A.
33P.O.A.
37P.O.A.
41P.O.A.
45P.O.A.
49P.O.A.
53P.O.A.
57P.O.A.

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS1D3N04CTWG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 4.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 4.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 4
1P.O.A.
5P.O.A.
9P.O.A.
13P.O.A.
17P.O.A.
21P.O.A.
25P.O.A.
29P.O.A.
33P.O.A.
37P.O.A.
41P.O.A.
45P.O.A.
49P.O.A.
53P.O.A.
57P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

252 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1,15 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

134 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.25мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

75 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.2мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

Philippines