ON Semiconductor NTZD3152PT1G MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

430 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-563

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

280 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

1.3мм

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,7 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.6мм

Страна происхождения

Malaysia