Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
280 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-963
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
4,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
1.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
0.85мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.4мм
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
280 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-963
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
4,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
1.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
0.85мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.4мм
Информация о товаре