Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
2,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 241,38
тг 120,69 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 241,38
тг 120,69 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 48 | тг 120,69 | тг 241,38 |
50 - 198 | тг 116,22 | тг 232,44 |
200 - 498 | тг 111,75 | тг 223,50 |
500 - 998 | тг 111,75 | тг 223,50 |
1000+ | тг 107,28 | тг 214,56 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
2,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре