P-Channel MOSFET, 10.6 A, 120 V, 3-Pin TO-220F onsemi FQPF15P12

Код товара RS: 807-5894Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQPF15P12
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

10,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

41 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

16.07мм

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 3 307,80

тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 10.6 A, 120 V, 3-Pin TO-220F onsemi FQPF15P12
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 307,80
20тг 6 615,60
30тг 9 923,40
40тг 13 231,20
50тг 16 092,00
60тг 19 310,40
70тг 22 528,80
80тг 25 747,20
90тг 28 965,60
100тг 25 926,00
110тг 28 518,60
120тг 31 111,20
130тг 33 703,80
140тг 36 296,40
150тг 38 889,00

тг 3 307,80

тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 10.6 A, 120 V, 3-Pin TO-220F onsemi FQPF15P12

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 307,80
20тг 6 615,60
30тг 9 923,40
40тг 13 231,20
50тг 16 092,00
60тг 19 310,40
70тг 22 528,80
80тг 25 747,20
90тг 28 965,60
100тг 25 926,00
110тг 28 518,60
120тг 31 111,20
130тг 33 703,80
140тг 36 296,40
150тг 38 889,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 330,78тг 3 307,80
50 - 90тг 321,84тг 3 218,40
100 - 490тг 259,26тг 2 592,60
500 - 990тг 232,44тг 2 324,40
1000+тг 187,74тг 1 877,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

10,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

41 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

16.07мм

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.