onsemi QFET N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB FQP30N06

Код товара RS: 671-5082Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQP30N06
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

QFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.1мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP36NF06 MOSFET
тг 420,18Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 346,75

тг 469,35 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB FQP30N06
Select packaging type

тг 2 346,75

тг 469,35 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB FQP30N06
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 469,35тг 2 346,75
25 - 95тг 362,07тг 1 810,35
100 - 245тг 295,02тг 1 475,10
250 - 495тг 290,55тг 1 452,75
500+тг 263,73тг 1 318,65
Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP36NF06 MOSFET
тг 420,18Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

QFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.1мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Вас может заинтересовать
STMicroelectronics STP36NF06 MOSFET
тг 420,18Each (In a Pack of 5) (ex VAT)