ON Semiconductor FQB22P10TM MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
9.65мм
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
40 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,75 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
9.65мм
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
40 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
Информация о товаре
Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.