N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FQA28N15

Код товара RS: 808-8985Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQA28N15
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

15.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.1мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 3 553,65

тг 710,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FQA28N15
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 553,65
10тг 7 107,30
15тг 10 660,95
20тг 14 214,60
25тг 14 639,25
30тг 17 567,10
35тг 20 494,95
40тг 23 422,80
45тг 26 350,65
50тг 28 608,00
55тг 31 468,80
60тг 34 329,60
65тг 37 190,40
70тг 40 051,20
75тг 42 912,00

тг 3 553,65

тг 710,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V, 3-Pin TO-3PN onsemi FQA28N15

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 553,65
10тг 7 107,30
15тг 10 660,95
20тг 14 214,60
25тг 14 639,25
30тг 17 567,10
35тг 20 494,95
40тг 23 422,80
45тг 26 350,65
50тг 28 608,00
55тг 31 468,80
60тг 34 329,60
65тг 37 190,40
70тг 40 051,20
75тг 42 912,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 710,73тг 3 553,65
25 - 45тг 585,57тг 2 927,85
50 - 245тг 572,16тг 2 860,80
250 - 495тг 460,41тг 2 302,05
500+тг 402,30тг 2 011,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

33 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

15.8мм

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Ширина

5мм

Серия

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.1мм

Информация о товаре

QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.