onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 3.7 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA1023PZ

Код товара RS: 739-6213Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMA1023PZ
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

MLP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

195 м. Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,6 нКл при 10 В

Ширина

2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 826,95

тг 165,39 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 3.7 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA1023PZ
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 826,95
10тг 1 653,90
15тг 2 480,85
20тг 3 307,80
25тг 3 799,50
30тг 4 559,40
35тг 5 319,30
40тг 6 079,20
45тг 6 839,10
50тг 7 599,00
55тг 8 358,90
60тг 9 118,80
65тг 9 878,70
70тг 10 638,60
75тг 11 398,50

тг 826,95

тг 165,39 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 3.7 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA1023PZ
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 826,95
10тг 1 653,90
15тг 2 480,85
20тг 3 307,80
25тг 3 799,50
30тг 4 559,40
35тг 5 319,30
40тг 6 079,20
45тг 6 839,10
50тг 7 599,00
55тг 8 358,90
60тг 9 118,80
65тг 9 878,70
70тг 10 638,60
75тг 11 398,50

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 165,39тг 826,95
25 - 95тг 151,98тг 759,90
100 - 245тг 120,69тг 603,45
250 - 495тг 111,75тг 558,75
500+тг 102,81тг 514,05

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

MLP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

195 м. Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,6 нКл при 10 В

Ширина

2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.