onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 44 A, 500 V, 3-Pin TO-247 FDH44N50

Код товара RS: 806-3438Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDH44N50
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

UniFET

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

750 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.82мм

Длина

15.87мм

Типичный заряд затвора при Vgs

90 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 777,15

тг 3 777,15 Each (ex VAT)

onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 44 A, 500 V, 3-Pin TO-247 FDH44N50
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 777,15
2тг 7 554,30
3тг 11 331,45
4тг 15 108,60
5тг 18 505,80
6тг 22 206,96
7тг 25 908,12
8тг 29 609,28
9тг 33 310,44
10тг 30 306,60
11тг 33 337,26
12тг 36 367,92
13тг 39 398,58
14тг 42 429,24
15тг 45 459,90

тг 3 777,15

тг 3 777,15 Each (ex VAT)

onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 44 A, 500 V, 3-Pin TO-247 FDH44N50
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 3 777,15
2тг 7 554,30
3тг 11 331,45
4тг 15 108,60
5тг 18 505,80
6тг 22 206,96
7тг 25 908,12
8тг 29 609,28
9тг 33 310,44
10тг 30 306,60
11тг 33 337,26
12тг 36 367,92
13тг 39 398,58
14тг 42 429,24
15тг 45 459,90

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 777,15
5 - 9тг 3 701,16
10 - 49тг 3 030,66
50 - 99тг 2 959,14
100+тг 2 516,61

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

UniFET

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

750 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.82мм

Длина

15.87мм

Типичный заряд затвора при Vgs

90 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.