onsemi N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002LT3G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 2 682,00
тг 13,41 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)
Стандартная упаковка
200
тг 2 682,00
тг 13,41 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)
Стандартная упаковка
200
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 200 - 200 | тг 13,41 | тг 2 682,00 |
| 400 - 800 | тг 13,41 | тг 2 682,00 |
| 1000 - 1800 | тг 8,94 | тг 1 788,00 |
| 2000 - 3800 | тг 8,94 | тг 1 788,00 |
| 4000+ | тг 8,94 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor