Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
76 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.15V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
51 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.1мм
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
76 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
LFPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.15V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
51 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.1мм
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре