Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB PSMN3R0-60PS,127

Код товара RS: 798-2946PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: PSMN3R0-60PS,127
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

306 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

16мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB PSMN3R0-60PS,127
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB PSMN3R0-60PS,127
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

306 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

130 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

16мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors