Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Nexperia PMV65XP,215 MOSFET

Код товара RS: 134-295Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PMV65XP,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,9 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

76 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.47V

Максимальное рассеяние мощности

1,92 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 6 034,50

тг 120,69 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Nexperia PMV65XP,215 MOSFET
Select packaging type

тг 6 034,50

тг 120,69 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Nexperia PMV65XP,215 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 200тг 120,69тг 6 034,50
250 - 450тг 67,05тг 3 352,50
500 - 950тг 67,05тг 3 352,50
1000 - 2450тг 44,70тг 2 235,00
2500+тг 44,70тг 2 235,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,9 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

76 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.47V

Максимальное рассеяние мощности

1,92 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors