IXYS MMIX1T600N04T2 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

600 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

GigaMOS, HiperFET

Тип корпуса

SMPD

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

24

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

830 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

23.25мм

Длина

25.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

590 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

5.7мм

Страна происхождения

Germany