IXYS MMIX1F180N25T MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

132 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

GigaMOS, HiperFET

Тип корпуса

SMPD

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

24

Максимальное сопротивление сток-исток

13 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

570 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

23.25мм

Длина

25.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

364 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

5.7мм

Страна происхождения

Germany