IXYS HiperFET, Q-Class N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V, 3-Pin TO-264AA IXFK27N80Q

Код товара RS: 920-0874Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFK27N80Q
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

27 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

HiperFET, Q-Class

Тип корпуса

TO-264AA

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

320 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.13мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

19.96мм

Типичный заряд затвора при Vgs

170 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

26.16мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS HiperFET, Q-Class N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V, 3-Pin TO-264AA IXFK27N80Q

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

P.O.A.

IXYS HiperFET, Q-Class N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V, 3-Pin TO-264AA IXFK27N80Q
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

27 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

HiperFET, Q-Class

Тип корпуса

TO-264AA

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

320 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.13мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

19.96мм

Типичный заряд затвора при Vgs

170 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

26.16мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS