IXYS IXFH26N50P MOSFET

Код товара RS: 194-530Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH26N50PDistrelec Article No.: 17131366
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

26 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

230 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

400 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 293,11

тг 2 293,11 Each (ex VAT)

IXYS IXFH26N50P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 293,11
2тг 4 586,22
3тг 6 879,33
4тг 9 172,44
5тг 11 242,05
6тг 13 490,46
7тг 15 738,87
8тг 17 987,28
9тг 20 235,69
10тг 22 484,10
11тг 24 732,51
12тг 26 980,92
13тг 29 229,33
14тг 31 477,74
15тг 33 726,15

тг 2 293,11

тг 2 293,11 Each (ex VAT)

IXYS IXFH26N50P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 293,11
2тг 4 586,22
3тг 6 879,33
4тг 9 172,44
5тг 11 242,05
6тг 13 490,46
7тг 15 738,87
8тг 17 987,28
9тг 20 235,69
10тг 22 484,10
11тг 24 732,51
12тг 26 980,92
13тг 29 229,33
14тг 31 477,74
15тг 33 726,15

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 2 293,11
5 - 19тг 2 248,41
20 - 49тг 1 832,70
50 - 99тг 1 792,47
100+тг 1 457,22

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

26 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

230 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

400 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS