Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 25 A, 30 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH7932TRPBF

Код товара RS: 220-7485Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFH7932TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0033 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

? 20V

Количество элементов на ИС

2

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 4000) (ex VAT)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 25 A, 30 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH7932TRPBF

4000

Доступно в кратности 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 4000) (ex VAT)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 25 A, 30 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH7932TRPBF
Информация о наличии не успела загрузиться

4000

Доступно в кратности 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

PQFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0033 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

? 20V

Количество элементов на ИС

2