Infineon IPW65R080CFDAFKSA1 MOSFET

Код товара RS: 124-8815Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPW65R080CFDAFKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

43 A

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Серия

CoolMOS CFD

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

391 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

167 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

21.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPW65R080CFDAFKSA1 MOSFET

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

P.O.A.

Infineon IPW65R080CFDAFKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

43 A

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Серия

CoolMOS CFD

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

391 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

167 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

21.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.