Infineon IPW60R041C6FKSA1 MOSFET

Код товара RS: 753-3059PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPW60R041C6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

77 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS C6

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

481 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

290 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.21мм

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPW60R041C6FKSA1 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Infineon IPW60R041C6FKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

77 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS C6

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

481 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

290 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.21мм

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.