Infineon N-Channel MOSFET, 143 A, 150 V, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG054N15NM5ATMA1

Код товара RS: 259-2738Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPTG054N15NM5ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

143 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

PG-HSOG-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon N-Channel MOSFET, 143 A, 150 V, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG054N15NM5ATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon N-Channel MOSFET, 143 A, 150 V, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG054N15NM5ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

143 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

PG-HSOG-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

1