Infineon OptiMOS™ 2 N-Channel MOSFET, 69 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IPP12CN10LGXKSA1

Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
OptiMOS 2
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
58 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineons OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 592,60
тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 592,60
тг 518,52 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 518,52 | тг 2 592,60 |
25 - 120 | тг 455,94 | тг 2 279,70 |
125 - 245 | тг 402,30 | тг 2 011,50 |
250 - 620 | тг 393,36 | тг 1 966,80 |
625+ | тг 384,42 | тг 1 922,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
OptiMOS 2
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
15,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
58 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineons OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.