Infineon IPP110N20N3GXKSA1 MOSFET

Код товара RS: 752-8381Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP110N20N3GXKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

88 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

OptiMOS 3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

65 нКл при 10 В

Высота

9.45мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 740,11

тг 2 740,11 Each (ex VAT)

Infineon IPP110N20N3GXKSA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 740,11
2тг 5 480,22
3тг 8 220,33
4тг 10 960,44
5тг 13 700,55
6тг 16 440,66
7тг 19 180,77
8тг 21 920,88
9тг 24 660,99
10тг 27 401,10
11тг 30 141,21
12тг 32 881,32
13тг 35 621,43
14тг 38 361,54
15тг 41 101,65

тг 2 740,11

тг 2 740,11 Each (ex VAT)

Infineon IPP110N20N3GXKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 740,11
2тг 5 480,22
3тг 8 220,33
4тг 10 960,44
5тг 13 700,55
6тг 16 440,66
7тг 19 180,77
8тг 21 920,88
9тг 24 660,99
10тг 27 401,10
11тг 30 141,21
12тг 32 881,32
13тг 35 621,43
14тг 38 361,54
15тг 41 101,65

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 740,11
25 - 99тг 2 248,41
100 - 499тг 2 024,91
500 - 999тг 1 698,60
1000+тг 1 479,57

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

88 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

OptiMOS 3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

65 нКл при 10 В

Высота

9.45мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.