Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

Код товара RS: 214-9062Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPG20N06S4L11AATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

PG-TDSON-8-10

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0112 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

PG-TDSON-8-10

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0112 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

Кремний