Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS83PH6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
330 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
SIPMOS
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
2,38 нКл при 10 В
Ширина
1.3мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
330 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
SIPMOS
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
2,38 нКл при 10 В
Ширина
1.3мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.