Infineon OptiMOS P Dual P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 6-Pin TSOP-6 BSL308PEH6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
TSOP-6
Серия
OptiMOS P
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 218,40
тг 80,46 Each (In a Pack of 40) (ex VAT)
Стандартная упаковка
40
тг 3 218,40
тг 80,46 Each (In a Pack of 40) (ex VAT)
Стандартная упаковка
40
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 40 - 160 | тг 80,46 | тг 3 218,40 |
| 200 - 960 | тг 71,52 | тг 2 860,80 |
| 1000 - 1960 | тг 62,58 | тг 2 503,20 |
| 2000 - 4960 | тг 58,11 | тг 2 324,40 |
| 5000+ | тг 58,11 | тг 2 324,40 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
TSOP-6
Серия
OptiMOS P
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.