Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 23 A, 80 V, 8-Pin TDSON BSC340N08NS3GATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
TDSON
Серия
OptiMOS 3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
66 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
32 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
6,8 нКл при 10 В
Ширина
6.1мм
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Тип корпуса
TDSON
Серия
OptiMOS 3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
66 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
32 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
6,8 нКл при 10 В
Ширина
6.1мм
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.