Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V, 7-Pin MG-WDSON-2 BSB104N08NP3GXUSA1

Код товара RS: 214-8966Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSB104N08NP3GXUSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

MG-WDSON-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0104 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 5000) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V, 7-Pin MG-WDSON-2 BSB104N08NP3GXUSA1

5000

Доступно в кратности 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 5000) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V, 7-Pin MG-WDSON-2 BSB104N08NP3GXUSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

5000

Доступно в кратности 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

MG-WDSON-2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0104 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний