Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
90 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
6000 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.9 x 1.3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
тг 536,40
тг 53,64 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 536,40
тг 53,64 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 10 | тг 53,64 | тг 536,40 |
20 - 40 | тг 44,70 | тг 447,00 |
50 - 90 | тг 40,23 | тг 402,30 |
100 - 190 | тг 35,76 | тг 357,60 |
200+ | тг 31,29 | тг 312,90 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
90 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
6000 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.9 x 1.3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре