Infineon AIK SiC N-Channel MOSFET, 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1

Код товара RS: 349-189Бренд: InfineonПарт-номер производителя: AIKBE50N65RF5ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

AIK

Тип корпуса

PG-TO263-7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

Malaysia

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon AIK SiC N-Channel MOSFET, 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon AIK SiC N-Channel MOSFET, 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

AIK

Тип корпуса

PG-TO263-7

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

Malaysia