DiodesZetex DMP4025SFG-7 MOSFET

Код товара RS: 122-1511Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP4025SFG-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

810 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.35мм

Длина

3.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,7 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.8мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex DMP4025SFG-7 MOSFET

P.O.A.

DiodesZetex DMP4025SFG-7 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

810 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

3.35мм

Длина

3.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,7 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.8мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.