Diodes Inc N-Channel MOSFET, 360 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 DMN53D0LDW-7

Код товара RS: 921-1105Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN53D0LDW-7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 360 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 DMN53D0LDW-7
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 100
1P.O.A.
101P.O.A.
201P.O.A.
301P.O.A.
401P.O.A.
501P.O.A.
601P.O.A.
701P.O.A.
801P.O.A.
901P.O.A.
1001P.O.A.
1101P.O.A.
1201P.O.A.
1301P.O.A.
1401P.O.A.

P.O.A.

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 360 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 DMN53D0LDW-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 100
1P.O.A.
101P.O.A.
201P.O.A.
301P.O.A.
401P.O.A.
501P.O.A.
601P.O.A.
701P.O.A.
801P.O.A.
901P.O.A.
1001P.O.A.
1101P.O.A.
1201P.O.A.
1301P.O.A.
1401P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.