Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 DMN10H220L-7

Код товара RS: 921-1048Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN10H220L-7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,3 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Вас может заинтересовать
Infineon IRLML0100TRPBF MOSFET
Infineon IRLML0100TRPBF MOSFETБренд: Infineon
тг 93,87Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 DMN10H220L-7
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 30.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 30.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

P.O.A.

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 DMN10H220L-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 30.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 30.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Infineon IRLML0100TRPBF MOSFET
Infineon IRLML0100TRPBF MOSFETБренд: Infineon
тг 93,87Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,3 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Вас может заинтересовать
Infineon IRLML0100TRPBF MOSFET
Infineon IRLML0100TRPBF MOSFETБренд: Infineon
тг 93,87Each (In a Pack of 10) (ex VAT)