Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
126 нКл при 10 В
Высота
4.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.5V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
2
P.O.A.
Стандартная упаковка
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.41мм
Типичный заряд затвора при Vgs
126 нКл при 10 В
Высота
4.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.5V
Информация о товаре