N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB11N80AE-GE3

Код товара RS: 210-4966Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIHB11N80AE-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

E

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.391 Ω

Максимальное пороговое напряжение включения

2 → 4V

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB11N80AE-GE3

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB11N80AE-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

E

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.391 Ω

Максимальное пороговое напряжение включения

2 → 4V

Количество элементов на ИС

1