Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5515CDC-T1-GE3

Код товара RS: 180-7304Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI5515CDC-T1-GE3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Тип канала

N, P

Число контактов

8

Максимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

TrenchFET

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Уровень шума

< 52дБ

Тип корпуса

1206 ChipFET

Brand

Vishay

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5515CDC-T1-GE3

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5515CDC-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

2

Тип канала

N, P

Число контактов

8

Максимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

TrenchFET

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Уровень шума

< 52дБ

Тип корпуса

1206 ChipFET

Brand

Vishay

Страна происхождения

China