Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
18,5 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
18,5 нКл при 5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Информация о товаре