Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
7,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
49 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
4,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
7,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
49 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
4,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре