Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
7,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
49 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
4,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 205,62
Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 205,62
Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
20 - 80 | тг 205,62 | тг 4 112,40 |
100 - 480 | тг 156,45 | тг 3 129,00 |
500 - 1480 | тг 134,10 | тг 2 682,00 |
1500 - 2480 | тг 107,28 | тг 2 145,60 |
2500+ | тг 107,28 | тг 2 145,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
7,2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
49 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
4,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре