P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3

Код товара RS: 812-3215Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4431CDY-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

49 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

4,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI9435BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI4431BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 245,85Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 205,62

Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
Select packaging type

тг 205,62

Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 205,62тг 4 112,40
100 - 480тг 156,45тг 3 129,00
500 - 1480тг 134,10тг 2 682,00
1500 - 2480тг 107,28тг 2 145,60
2500+тг 107,28тг 2 145,60
Вас может заинтересовать
Vishay SI9435BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI4431BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 245,85Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

49 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

4,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Vishay SI9435BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
P.O.A.Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Vishay SI4431BDY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
тг 245,85Each (In a Pack of 10) (ex VAT)